本文標(biāo)題："近場光學(xué)顯微鏡材料礦石直徑3μm深為1.5μm觀察"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類: 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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近場光學(xué)顯微鏡材料礦石直徑3μm深為1.5μm觀察
利用掃描式近場光學(xué)顯微鏡對不同樣品做非破壞性檢測分析。我們用紫外光雷射或綠光雷射耦合入光纖，
使用掃描式近場光學(xué)顯微鏡觀察圖樣化藍(lán)寶石基板上成長之氮化鎵薄膜的缺陷。
藍(lán)寶石基板分別為凹、凸直徑3μm深為1.5μm兩種圓形陣列圖樣，
其中GaN薄膜成長于凹的藍(lán)寶石基板的過程中再隨機(jī)的植入直徑約1μm厚約100nm的SiO2圓形結(jié)構(gòu)。
得到的影像可以發(fā)現(xiàn)SiO2結(jié)構(gòu)上方會(huì)形成良好的GaN薄膜導(dǎo)致有將雷射完全吸收的現(xiàn)象，
并且藍(lán)寶石基板凹洞上方亦可以長出良好的GaN薄膜；在有凸起狀的藍(lán)寶石基板上長的GaN，其高低交界處有明顯的缺陷。
此外，我們用紅外光雷射耦合入光纖，并利用光偵測晶片(900 ~ 1700 nm)改裝成可架入系統(tǒng)中光偵測器，
進(jìn)而可以得到Ge薄膜在SiO2/Si晶片中的生長分佈狀況。而矽基板是由電子束微影術(shù)與反應(yīng)性離子蝕刻制作出直徑為200nm、
深20nm的圓洞，圓洞互相間隔距離分別為800nm、1000nm。Ge薄膜厚300nm，最后還附蓋上100nm的SiO2來保護(hù)Ge薄膜。
運(yùn)用掃描式近場光學(xué)顯微鏡及自制光纖探針配合不同光源跟光偵測器開發(fā)出可適用檢測不同能隙材料在不同種類晶片中生長情形之非破壞性近場量測
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