本文標(biāo)題："光電領(lǐng)域研究表面輪廓測量儀器-高解析度的光學(xué)成像顯微鏡"
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光電領(lǐng)域研究表面輪廓測量儀器-高解析度的光學(xué)成像顯微鏡
近年來Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體家族以及有機
發(fā)光半導(dǎo)體材料在光電領(lǐng)域研究上扮演著很重要的角色，
以偏光調(diào)變近場光學(xué)顯微鏡(PM-NSOM)為工具，利用其高解析度的光學(xué)成像能力以及結(jié)晶對不同偏振光的吸收差異，
研究無機半導(dǎo)體-(氮化銦鎵薄膜)與有機半導(dǎo)體(OLED)中電子傳輸層(Alq3)之結(jié)晶狀態(tài)與其發(fā)光特性。在氮化銦鎵薄膜上，
我們成功的量測出結(jié)晶化程度較差的V型缺陷為非輻射復(fù)合中心，而圍繞在V型缺陷環(huán)之銦含量比較多的氮化銦鎵簇則為輻射復(fù)合中心，
其結(jié)晶化程度也較佳。在OLED上，我們成功的量測出低溫制程(-150℃)Alq3薄膜的結(jié)晶情形，
而利用此低溫Alq3做成的OLED元件，其發(fā)光效率也較傳統(tǒng)元件來的高
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